近年来,随着科学技术及半导体工艺技术的发展,半导体器件的性能有了很大的提高。过去在杂志上介绍

各类新型集成电路较多,而分立器件则相对报导较少。实际上,近几年就以双极型晶体管(以下简称三

极管)来讲开发出不少新产品,在性能上与老产品相比较有很大的改进:主要是减小功耗、增加输出电流

,并且提出崭新的参数概念。 

2005~2006年推出的ZXTN系列中功率NPN三极管。用该系列产品来更

换老型号的中功率三极管,不仅封装尺寸小,并且由于其功耗小,输出电流大,增加了输出功率,提高了

效率,并且可以简化散热措施。 

ZXTN系列的主要特点 

ZXTN系列有如下的型号:ZXTN19055DZ、ZXTN2005G、ZXTN2005Z、ZXTN2007G及ZXTN2007Z。这些中功率NPN

三极管的共同特点:工作电压范围宽,耐压为25~55V,适合大多数工业上应用的电压范围(5~24V),个

别的可用于48V电压下工作;工作温度范围宽,从-55~ +150℃,可应用到温度条件恶劣的汽车工业,也

满足上的应用要求;的特点是饱和电压V CE(SAT) (或VCES)很低,在连续输出电流I C

(Cont)时,VCE(SAT)小于250mV,与一般老型号同类三极管相比较,减小了2~5倍;输出电流大,连续输

出电流可达5.5~7A;在输出大的集电极电流时,其共发射极直流电流放大系数hFE的特性极好;特征频率

fT高,可达140~150MHz(有的可达200MHz),既适用于高频,也适用于低频或直流场合,应用十分灵活;

封装尺寸小,贴片式SOT-89(4.5mm×2.7mm)或SOT-223(6.5mm×3.5mm)封装。 

应用领域 

由于ZXTN系列有上述特点,它们的应用领域十分广泛,主要有:螺管线圈、继电器、功率开关、马达驱动

(包括直流风扇电机)、DC/DC转换器、LCD背光驱动电路、充电器电路、应急灯电路、汽车照明电路等。 

饱和电压V CE(SAT)低 

饱和电压V CE(SAT) (或用VCES表示)是三极管的重要参数之一。在三极管放大电路中,集电极(或发射极)

总接有负载(以RL表示),如图1所示。当电源VCC一定时,IC增大时,相应的VCE必定减小,当VCE减小到一

定程度,IB再增大,IC也不再增加,此时三极管失去放大作用,这种状态称为三极管饱和,此时的VCE被

称为饱和电压降,用V CE(SAT)或VCES表示。饱和电压降V CE(SAT)与IC及IB有关,IC越大,则VCE(SAT)也

越大。